(1) 由BIMOS型运放和VMOS场效应晶体管的巧妙配合，使仪器具有很高的精度和很好的性能。
(2) 这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性。
(3) 采用标准分立双极元件，对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证。
(4) 这是一台最新式晶体管收音机。
(5) 阻容晶体管逻辑电路。
(6) 结晶装置，结晶方法，薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管和显示装置。
(7) 存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。
(8) 该原子的表现正如一个量子光学晶体管，能持续控制流入光腔的光。
(9) 光电晶体管。集电极发射极电压30V的集电极发射极电压为5V功耗75毫瓦。
(10) 我们所研究的晶体管都是把电流馈入发射极.
(11) 我们戴手表，用相机拍照片，看地图找路，听晶体管收音机，而你们用一部手机可以做以上所有的事。
(12) 对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。
(13) 其内部只不过是一串串极为普通的金属线和晶体管，但外观上却使人不敢等闲视之。
(14) 只有一个外部晶体管所需的变容二极管，线路驱动。
(15) 对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计，并进行了流片测试。
(16) 在晶体管收、扩音机中,广泛采用推挽功率放大电路.
(17) 这些高速开关器件取代慢，少的高效双极晶体管，增改善的表现，双方的步进电机驱动器和伺服放大器。
(18) 另外，最有其他研究人员研制出了纸基晶体管，米若因博士的电池可为带有这种晶体管的装置配电。
(19) 硅外延面晶体管，用于音频和通用。
(20) 该文以微波放大器的有源网络设计为基础，针对微波晶体管输入与输出阻抗相互影响的特点，提出了阻抗匹配的自适应递推设计方法。
(21) 这类器件包括光电池、光电晶体管等。
(22) 形成图案的方法，薄膜晶体管，显示设备及制法和应用。
(23) 这里提出的结构解决了这个问题，它利用标准CMOS晶体管来实现非易失性存储器，这样就不需要额外的掩膜或工艺步骤。
(24) 一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔离层，以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。
(25) “韩国泡菜碗里这个最辣的辣椒”就是三星电子，三星电子第一个电子产品是笨重的晶体管收音机，而发展到现在，从销量的角度去评估，它已经是世界上最大的科技公司。
(26) 本文提出了高压低饱和压降GTR的最佳设计方法。分析表明，高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。
(27) 一种其工作取决于固体材料中电或磁现象控制情况的元件，例如晶体管、晶体二极管和铁氧体磁芯等。
(28) 这也是我第一印象，很高兴得到你的认同，凤凰结合了胆机与晶体管机中最好的部分。
(29) 这种电路的每一支路中的元件，除一般电路元件外，还可能包括功率开关晶体管、二极管或隔离变压器的一个绕组。
(30) 如果大脑中的神经连接变多变细，就会碰到热力学极限，正如计算机芯片上的晶体管所遇到的问题一样：容易产生“噪音”。
(31) 另外，最有其他研究人员研制出了纸基晶体管，米若因博士的可为带有这种晶体管的装置配电。
(32) 这FET晶体管，这里用作可变电阻的电路IC2的反应的一部分。
(33) 硅互补PNP晶体管。音频放大器和驱动器。
(34) 这台电磁式机器一直使用到1959年，然后就被遗弃在灰尘中，因为到了那个时期，首先使用电子管、接着晶体管、然后集成电路芯片的真正电子计算机先后问世。
(35) 本文讨论了复合开关晶体管的基本特性和开关特性，提供了实测数据和应用电路实例。
(36) 本文根据晶体管非线性元件的特点，利用数学推导方法，从基础上分析了变频工作啸叫的原因，并提出了消除方法。
(37) 本文在对器件的特性进行分析的基础上，对多输入浮栅MOS晶体管在电压型多值逻辑电路中的应用进行了研究。
(38) 电子控制单元。包括由转速传感器控制的开关晶体管，用来断开或接通初级电路。
(39) 这就是说，电路并不在晶体管层次进行设计，而是在门电路、触发器和存储模块的级别进行设计的。
(40) 特别地，当一个高功率电磁脉冲突然加载在晶体管上时，会导致晶体管的电击穿或热击穿。
(41) 随意地，如果用锗晶体管取代硅晶体管，可使模块工作的输入电压最小为0.25V。
(42) 我们必须十分重视晶体管的偏置.
(43) 它拥有5英寸的屏幕使用了23个硅锗晶体管。
(44) 在大多数应用中，电子管已由晶体管代替，但是在阴极射线管和一些无线电频率电路以及音频放大器中，仍然要使用电子管。
(45) 通常由一个电阻器或者电流源，电容器和一个“阀门”装置，如氖灯、两端交流开关、单结晶体管或者耿式效应二极管来实现。
(46) 图尔表示，晶体管必须是纯粹的半导体才能传载信息。
(47) 在一般的双极晶体管，带有电输入和输出端口，这定律完全适用。
(48) 器件测试结果充分证实了自对准双栅薄膜晶体管的优越性能。
(49) 本文采用较全面的包括四个寄生双极晶体管和MOS管的闩锁模型，详细分析了瞬态辐照下CMOS反相器的闩锁效应。
(50) 比较了适用于甲类工作和适用丙类工作的微波功率双极晶体管的差异，并对这些差异提出了物理解释。
(51) 举例说明，20兆赫兹的峰点是钳位过程结束后主要由场效应晶体管输出电容和变压器漏感引起的寄生振荡产生的。
(52) 其次，对提高有机薄膜晶体管的电学性能的研究。
(53) 该同步机以FPGA，与集成电路、晶体管分立元件相结合，实现对输入脉冲触发转换、脉冲成形以及驱动输出，最终产生多路同步触发信号。
(54) 日本最大的产业不是造船业，不是珍珠养殖业，亦不是晶体管收音机或摄像机生产业，而是娱乐业。
(55) 它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.
(56) 场效应晶体管以及制造场效应晶体管的方法。
(57) 新型晶体管的开关时间缩短了三分之二。
(58) 在半导体收音机中晶体管代替了真空管.
(59) 晶体管有三个电极,即发射极,基极和集电极.
(60) 金属键合线互连是射频大功率晶体管内匹配技术中的关键手段。
(61) 光耦，光电晶体管输出，基地连接。
(62) R1和Q1的门源极电容决定了晶体管的关闭时间.
(63) 文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发，推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式。
(64) 介绍一个实用的晶体管开关电路，用它能够较准确地测定电容和介电常量。
(65) 从微波晶体管、场效应管管芯的单向化模型出发,给出了对微波宽带放大器的不等波纹函数型阻抗匹配网络综合方法.
(66) 然而，有机场效应晶体管性能的快速进步，主要得益于新型有机半导体材料方面的研究进展。
(67) 讨论了双极性晶体管雪崩的工作原理，分析了采用级联双极性晶体管结构的超宽带极窄脉冲发生器的电路。
(68) 利用定时器NE556和程控单结晶体管，设计了一种新型多路脉冲分配器。
(69) 结果表明：在辐照的剂量率范围内，无论是国产还是进口的双极晶体管，都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象，且NPN管比PNP管的明显。
(70) 比如，在1975年，数字电路用的是晶体管综合线路，但到了1985年，数字电路就变成微处理器设计了。
(71) 在防止芯片尺寸增大且抑制了功耗增大的同时，来对MOS晶体管的温度相关性进行补偿。
(72) 微晶体管利用背板在屏幕上显示各个彩色像素，在过去20年里，由于背板技术的革新，液晶显示器刷屏的速度得以提高。
(73) 采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术，获得了可与CMOS结构兼容，基区电阻较小的硅低温双极晶体管。
(74) 本文对得到的结论给出了合理解释，以期未来能以此为依据调整器件结构、改变外电路形式，从而提高晶体管对电磁脉冲耐受性。
(75) 他在我们学校附的晶体管收音机厂工作.
(76) 本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法。
(77) 晶体管的一项特别引人注意的应用是在助听器方面.
(78) 这种新晶体管的开关时间将延长三分之二。
(79) 其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。
(80) 多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置。
(81) 逆变器采用绝缘栅双极晶体管模块制造。
(82) 一般用途低级别的放大器和开关晶体管。
(83) 晶体管放大电路拥有一个防震二极管以防止由电线长度引起的自感应现象，此防震二极管连接在2个晶体管金属丝接头上。
(84) 该稳压系统的关键在于控制系统的设计，及开关晶体管的选择及应用。
(85) 场效应晶体管，特别是双扩散场效应晶体管，及其制造方法。
(86) 绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。
(87) 硅互补PNP晶体管。通用输出和音频放大器的驱动程序。
(88) 此外，还介绍一个小型通用程序，它能对一些定向耦合器、衡晶体管放大器以及电调衰减器等进行分析和优化设计。
(89) 本文介绍了晶体管的雪崩原理，通过张弛振荡器、崩振荡器、音频信号发生器和闪光节拍器四个例子介绍了雪崩晶体管的应用。
(90) 然后，在薄膜晶体管面板上的不良像素区域沉积或者印刷不透明物质。
(91) 每个晶体管至少有三个电极。
(92) 达林顿晶体管增益大、可靠性高，尤其在大功率应用中更加简便。
(93) 这导致主要产品是晶体管类扩音机，当然我们不排斥完全电池供电的胆机设备，虽然胆机电池供电重量和体积太大，对大多数人也不划算。
(94) 该电路由一集成运算放大器及多端输出的双极晶体管电流镜构成。
(95) 本文从包括埋层影响的集区杂质分布出发，求出了寄生PNP晶体管的共基极电流放大系数。
(96) 描述了双极型晶体管及其制造.
(97) 文章回顾了分子器件的发展历程和研究现状，并重点对分子导线、分子开关、分子整流器和分子晶体管等器件进行了介绍。
(98) 在硬开关里场效应晶体管的开启波形拐点并不和漏源极电压值同步。
(99) 一群科学家们成功地创造出单分子晶体管。
(100) 电子管和晶体管能放大输入的信号.
(101) 为了用不同开关电源设备代替Q1，例如NPN双极晶体管或继电器，指定Q2供给开关设备所需的控制电流。
(102) 这种新晶体管的开关时间将缩短三分之二。
(103) 固体物理学为我们带来了晶体管。
(104) 在卡恩斯电路中，晶体管、电容器和可变电阻器是三个基本元件。
(105) 当今市面上最好的芯片使用32纳米的面晶体管，而下一代芯片将使用22纳米晶体管。
(106) 本文叙述了发生在单结晶体管二阶受迫振荡电路中的倍周期分岔，周期迭加分岔和混沌现象，并讨论了这些现象的发生机理。
(107) 本文提出互补横向绝缘栅双极晶体管CLIGBT的一种网络模型。
(108) 顾名思义，晶体管常用作混频器，可以输出混频信号，并且是许多电子通讯系统的基本元件。
(108) 高考升学网祝您造句快乐,天天进步!
(109) 乙方应严格按照甲方的设计将甲方供给的零部件装配成晶体管收音机，不得变动。
(110) 几百个微细的晶体管、晶片和其他电子零件被机械人“拾起并定位”到每块电子版上，多支机械手臂一起快速舞动，让人目不暇接。
(111) 富士通公司指出使用氮化镓高电子迁移率晶体管技术后，新型放大器功率比目前使用砷化镓晶体管的放大器的功率提高了6倍多。
(112) 该组研究人员成功地在每张纸币上印上100层有机超薄型薄膜晶体管，足以执行简单的计算任务。
(113) 复合晶体管，复合晶体管对，电流方器和CMOS模拟乘法器。
(114) 本发明能够抑制氧化物半导体层中晶格缺陷的形成并抑制湿气的进入，从而提高薄膜晶体管的可靠性。
(115) 介绍了用万用表检测集成电路块和单结晶体管的方法。
(116) 传统晶体管使用一个叫做“栅极”的金属电极，以控制电子在面硅基片上的沟道中的流动。
(117) 然而，锗晶体管价格相对高些，所以只在需要低输入电压的应用中使用。
(118) 晶体管交流毫伏表只能用于正弦电压测量，使测量任意波形电压受到限制。
(119) 基极晶体管中发射极和.集..电.极之间的区域.
(120) 硅互补PNP晶体管。音频放大器的输出。
